摘要：碳化硅晶体具有各种远优于其他晶体的性能，如耐击穿、高热导率、高键和能，通常作为制造大功率、抗辐射照、高温等器件和电路的理想材料。本论文将通过对不同掺杂的碳化硅晶体样品的红外光谱测量，分析实验数据，研究不同掺杂的碳化硅晶体的红外光谱特性，研究其光谱变化以及掺杂对碳化硅晶体材料的光学性质的影响。对于碳化硅光电器件，材料光学性质的表征是十分重要的一个方面。成熟的碳化硅晶体制备技术可以为其光学性质研究提供不同类型的高质量碳化硅晶体样品，并且此研究工作对碳化硅晶体材料光学性质表征、相关器件的性能评估及应用具有重要的参考价值。本文的实验测量结果显示碳化硅样品掺氮量、对碳化硅样品的抛光和退火处理等影响了红外光的透射率和特征峰的位置。

关键词：碳化硅晶体；掺杂；红外光谱；表征

目录

摘要

ABSTRACT

第一章 引言-1

1.1 碳化硅晶体的特性-1

1.2 碳化硅晶体的制备方法-2

1.3 碳化硅晶体的常用表征方法-3

第二章 碳化硅晶体中红外光谱研究-10

2.1 中红外光谱介绍-11

2.2 几种碳化硅样品的中红外光谱测量结果分析-12

第三章 结论-15

3.1 碳化硅晶体红外光谱研究结论-15

3.2 未来碳化硅晶体红外光谱研究的展望-15

参考文献-16

致  谢-17